金贝尔分享：FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、开发和质量控制

SiC与其他半导体材料的性能比较

在SiC材料的研究与开发中，傅立叶变换红外光谱技术（FT-IR）是一种简单而有效的研究其各种性能的工具。它可以用于测定掺杂浓度、外延层厚度或声子光谱，对晶体结构和质量提供有价值的信息。基于傅立叶变换红外的光致发光光谱技术（FT-PL）可以提供额外的信息，如能带结构和电荷载流子的细节。透射光谱技术可以研究半导体的带隙、激子和其他电子特性。此外，碳化硅杂质和缺陷分析也是材料开发和质量控制的重要步骤。